Nítríd sileacain táirge ardleibhéil

Microstruchtúir mósáic sileacain atá criostalaithe go páirteachnítríd sileacainScannáin a d'ullmhaigh LPCVD. Ag brath ar na coinníollacha agus ar an bpróiseas atá ag fás, tá scála an struchtúir idir na deichniúr go dtí na nanaiméadar. Based on the stress test results and transmission electron microscopy observation results of SiNx films grown under different conditions, the genesis of the microstructure of silicon-rich SiNx films and their interaction with the stress in the film were analyzed, and the LPCVD growth process of silicon-rich SiNx films was optimized, which greatly reduced the tensile stress of the film, and the unsupported film-forming area could reach 40mm × 40mm. Bunaithe ar thorthaí an staidéir seo, ba é LPCVD a bhain le fás rialaithe na seicní sinx le strus teanntachta diongbháilte.

1.Nítríd sileacainUllmhaíodh scannáin thin (sin _ x) le teicneolaíocht sil-leagan gaile ceimiceach (LPCVD) ag baint úsáide as silane agus amóinia mar fhoinsí sileacain agus nítrigine, faoi seach, agus nítrigin ard-íonachta mar ghás iompróra. Rinneadh staidéar ar chinéitic fáis an pheaca {_ x le ellipsometry, bhí speictreascópacht infridhearg Fourier agus speictreascópacht fhótaileictreach X-ghathaithe ag baint le hairíonna an pheaca _ X. Faoi na coinníollacha céanna a bhaineann le próisis eile, méadaíonn ráta fáis an pheaca {_ x go monotonically leis an méadú ar an mbrú oibre, agus tá éifeacht os coinne ag an gcóimheas (R) den ráta sreafa amóinia go silane sa ghás beatha ar ráta fáis an scannáin. De réir mar a mhéadaíonn an teocht imoibriúcháin, méadaíonn an ráta sil -leagain de réir a chéile, ag baint amach uasmhéid thart ar 840 céim agus ansin ag laghdú go tapa. Nuair a úsáidtear R2, faightear peaca Si-saibhir _ x scannán tanaí (x1.33). Nuair a úsáidtear R4, faightear scannán peaca {_ x le gar-stoichiometric (Z≈1.33).

Clibeanna Te: Nítríd Silicon Táirge Ardleibhéil, déantúsóirí nitride sileacain táirge ardleibhéil na Síne, soláthróirí, monarcha